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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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STW70N60M2-4 PDF資料
- 資料下載
- 制造商:STMicroelectronics
- PDF文件大?。?002.58 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW70N60M2-4技術(shù)規(guī)格
- 制造商:STMicroelectronics
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-247-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:68 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
- Qg-柵極電荷:118 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:450 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:MDmesh
- 系列:STW70N60M2-4
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標(biāo):STMicroelectronics
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:-
- 下降時(shí)間:9 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:17 ns
- 工廠包裝數(shù)量:600
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:155 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:32 ns
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